鍺烷（GeH4）和乙鍺烷（Ge2H6）均為電子工業用的關鍵氣體材料，對整個行業的可持續發展起著重要的支撐配套作用。鍺烷主要用于半導體制程中在硅片上沉積SiGe（硅鍺）層。硅鍺材料的載流子遷移率高、能帶寬度隨Ge的組分變化而連續可調，因此,硅鍺材料在微電子和光電子方面有重大的應用價值。5G時代，光通信芯片崛起，光通信傳輸芯片主流采用SiGe工藝來滿足其對高性能和低功耗的要求。國家發改委《增強制造業核心競爭力三年行動計劃(2018-2020年)》曾對鍺烷純度和裝置規模就提出過具體要求。鍺烷也用于紅外光學材料、航天器空間高效電池等；作為太陽能薄膜電池的源材料，與硅烷一起制備各種不同的非結晶鍺硅電池。