1、   氮、氧、氬的來源

 儲槽供應（off site）的氮氧氬一般來自于空分，空分產品的氮、氬氣體純度可以達到5N，在不增加精餾塔的情況下氧氣一般濃度為99.5%，增加精氧塔后可以達到5N或以上。但是目前國內安裝了精氧塔的空分并不多。所有5N的氧氣價格基本是2N5的十倍左右。

  ON SITE模式下半導體電子行業有制氮的需求一般也是用的低溫法，對氮氣濃度要求不高，較低的成本的化工行業很多就是使用的變壓吸附模式。兩者的區別在于運行成本變壓吸附初期建設成本低很多，而低溫法則是運行成本低且質量穩定。

2、H2的來源：

a、水電解

氫氣成品雜質少，氣體純度高，不易去除的甲烷濃度低于其他幾種方式，成本相對較高。

  用量較大的外延工藝單臺用量10M3/H，會設置現場水電解設備，一般情況下很少能購買到水電解制氫的成品氣

b、甲醇裂解

氫氣成品雜質少，氣體純度高。成本較為合理

c、甲烷裂解（成本低，一般4N)

氫氣成品雜質比較復雜，成本較為低廉，適合用于一般行業，半導體工藝慎用。

 d、氨裂解

一般用于現場制取氫氣，且要求非常低的的區域

e、鹽化工回收氫氣

鹽化工氯堿合成工段，會用過量的氫氣與氯反應，過量的氫氣一般在火炬處燃燒放空，近幾年很多公司處于降本增效和能源管控日漸嚴格的關系開始進行回收，因雜質組分少，精制后的氫氣組分較好，太陽能行業使用較多。

3、He氦氣

氦氣是石油開采的副產物，富氦的石油開采區目前只有卡塔爾、美國、俄羅斯的西伯利亞區域，西伯利亞區域開采工藝落后。目前市場上氦氣的主要來源僅有美國和卡塔爾。氦氣工業上用量最大的是核磁共振機，所需要的液氦量非常大，一旦產地地緣政治或者工廠出現問題，市場上就會出現氣荒，價格波動非常大。氣態氦氣在半導體工廠常用的場景是氦檢漏、晶圓冷卻、載氣。

4、CO2：

A工業二氧化碳制�。�

a.煅燒法:高溫煅燒石灰石(或白云石)過程中產生的二氧化碳氣,經水洗、除雜、壓縮,制得氣體。

b.發酵氣回收法:生產乙醇發酵過程中產生的二氧化碳氣體,經水洗、除雜、壓縮,制得二氧化碳氣。

c.副產氣體回收法:氨、氫氣、合成氨生產過程中往往有脫碳(即脫除氣體混合物中二氧化碳)...

d.吸附膨脹法:一般以副產物二氧化碳為原料氣,用吸附膨脹法從吸附相提取高純二氧化碳,用低溫泵...

e.炭窯法:由炭窯窯氣和甲醇裂解所得氣體精制而得二氧化碳。

f.天然CO2氣產于某些天然氣田。在世界石油和天然氣開采過程中，發現過不少的CO2或者富CO2氣田，其CO2含量為15～99％。在中國廣東、山東和江蘇等地，亦存在具有開發利用價值的高濃度CO2氣田[102]。某些天然CO2氣本身純度高（含CO2 99.2％），利用井口壓力經除塵干燥，脫除重烴和硫化物后就可以分裝使用。

B二氧化碳精制：

二氧化碳一般是常壓吸附后低溫精餾，可以將二氧化碳提純到5N。

液態二氧化碳需要注意的是壓力不能低于0.75MPA,否則就有可能變成干冰。

C二氧化碳在工業上應用：

a.制取干冰

b.二保焊

c.碳酸飲料

d.制作純堿、尿素

e.滅火劑

f.進行人工降雨、制取甲醇、乙醇、工業清洗劑

D二氧化碳在半導體的應用

a.切片機中機能水制作，

b.超臨界清洗

E.生命安全

二氧化碳是惰性氣體，很多公司使用了二氧化碳淹沒式滅火系統，一般只設置了氧氣偵測器，但是需要注意的是二氧化碳含量在空氣中超過5%會導致人體血液缺氧，所以在使用二氧化碳淹沒式滅火系統情況下需要設置二氧化碳偵測器。